一种基于双层金属线栅结构的太赫兹偏振片

	一种基于双层金属线栅结构的太赫兹偏振片
	王德强; 卢斌; 申钧; 彭晓昱; 夏良平; 张为国; 杜春雷
	2017-07-04
著作权人	中国科学院重庆绿色智能技术研究院
专利号	2015106461415
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	本发明公开了一种基于双层金属线栅结构的太赫兹偏振片，包括硅基底1，硅基底上下表面的氮化硅层2，将所述氮化硅层2加工成在同一平面相互平行呈周期性排列的凸起3，在凸起3之间的硅基底上加工形成相互平行的凹槽4，在凸起3表面和凹槽4内部底面生成有线栅结构的金属薄膜5。本发明公开的偏振片横磁场波具有较高的透过率，消光比非常高，由于是双面对称结构，使用时没有方向区别，另外，本发明制作时上下刻蚀的凹槽无需对齐，只需上下平行，因此本发明还具有加工工艺简单，加工周期较短等优点。
分类号	G02b5/30(2006.01)i
申请日期	2015-10-08
语种	中文
状态	已授权
内容类型	专利
源URL	[http://119.78.100.138/handle/2HOD01W0/5386]
专题	精准医疗单分子诊断技术研究中心微纳制造与系统集成研究中心太赫兹技术研究中心
作者单位	(1)中国科学院重庆绿色智能技术研究院
推荐引用方式 GB/T 7714	王德强,卢斌,申钧,等. 一种基于双层金属线栅结构的太赫兹偏振片. 2015106461415. 2017-07-04.