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1y纳米微缩难度超预期 传三星暂缓平泽厂每月3万片扩产计划
yaoxn@llas.ac.cn
2018-07-03
Subject集成电路装备
Related URLshttp://portal.nstl.gov.cn/STMonitor/home/bianyi_recordshow.htm?id=64954&parentPageId=1530769934640&serverId=&controlType=openhome
Abstract

市场传出存储器龙头韩国三星电子暂缓DRAM扩产消息。据业界消息,三星因为制程转进1y纳米后无法有效降低单位生产成本,原本第三季于韩国平泽厂(Pyeongtaek)东翼大楼(east wing)2楼扩增每月3万片DRAM产能的计划已暂缓。法人预期下半年进入旺季后,DRAM价格持续看涨到年底。

由于DRAM供给吃紧且价格持续调涨,包括三星、SK海力士、美光等三大厂都面临来自客户要求扩产的强大压力。不过,因为DRAM制程由1x纳米微缩到1y纳米的技术难度高,在无法有效降低单位生产成本情况下,近期业界传出三星暂缓扩产消息。

DRAM制程由20纳米往1x/1y纳米微缩,不仅新产能的设备投资金额创下新高,但晶圆良率提升脚步缓慢,导致单位成本降幅明显低于预期。外资分析师指出,在晶圆良率同样在85%的假设下,三星1y纳米8Gb DDR4单位成本仅比上一代1x纳米减少约11%,也就是说,将1y纳米DDR4良率低于80%,代表单位成本降幅将低于6%,若晶圆良率低于75%,1y纳米与1x纳米的DDR4成本几乎相同,代表制程微缩失去意义。

三星今年初释出将在平泽厂2楼扩大DRAM产能计划,包括在西翼楼2楼扩充每月2万片1x纳米产能,在东翼楼2楼每月扩充7万片1y纳米产能,其中东翼楼的产能建置包括第二季扩增4万片,第三季再扩充3万片。但因为1y纳米的微缩难度比预期高,无法有效降低单位生产成本,所以第三季扩增3万片月产能计划已暂缓,要等到良率明显提升后才会重启扩产计划。

 
Source大半导体产业网
Accrual Methodwebcrawl
Content Type科技动态
URIhttp://www.corc.org.cn/handle/1471x/1632224
Collection科技动态
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