GaAs基β辐射伏特效应微电池的参量优化设计研究

	GaAs基β辐射伏特效应微电池的参量优化设计研究
	刘云鹏; 汤晓斌; 丁丁; 谢芹; 陈飞达; 陈达
刊名	原子能科学技术
	2012-09-20
卷号	46 期号:S1 页码:611-616
关键词	砷化镓微电池 β辐射伏特效应蒙特卡罗方法 Beta particles Betavoltaic Depletion region Design scheme Doping concentration Electron hole pairs Fill factor GaAs Junction depth Maximum output power Microbattery Minority carrier diffusion length Monte Carlo Simulation Output performance P-n junction P-n junction depth Parameter values Parameters optimization Self-absorption effects Surface area Transport process
ISSN号	1000-6931
其他题名	Parameters optimization of GaAs betavoltaic microbattery
通讯作者	Liu, Y.-P.
中文摘要	考虑放射性同位素源自吸收效应,提出基于半导体材料GaAs和同位素源63 Ni的微电池最优化设计方案,并通过蒙特卡罗程序MCNP模拟计算β粒子在半导体材料中的输运过程,对同位素源与半导体材料的厚度,换能单元PN结结深、耗尽区宽度、掺杂浓度、少子扩散长度,及电子空穴对的产生及收集情况等进行了研究和分析,给出了不同结深下,各物理参量的最佳设计值。在源活度为3.7×107 Bq,PN结表面积为0.01cm2时,提出的辐射伏特效应微电池最优化设计方案可实现:短路电流密度为379.68nA/cm2,开路电压为1.375V,填充因子为84.39%,最大输出功率为440.4nW/cm2,能量转化率为4.34%...
学科主题	Electricity: Basic Concepts and Phenomena; Semiconducting Materials;.Single Element Semiconducting Materials; Artificial Intelligence;Chemical Products Generally; Optimization Techniques
出版地	Beijing
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.lzu.edu.cn/handle/262010/131165]
专题	核科学与技术学院_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	刘云鹏,汤晓斌,丁丁,等. GaAs基β辐射伏特效应微电池的参量优化设计研究[J]. 原子能科学技术,2012,46(S1):611-616.
APA	刘云鹏,汤晓斌,丁丁,谢芹,陈飞达,&陈达.(2012).GaAs基β辐射伏特效应微电池的参量优化设计研究.原子能科学技术,46(S1),611-616.
MLA	刘云鹏,et al."GaAs基β辐射伏特效应微电池的参量优化设计研究".原子能科学技术 46.S1(2012):611-616.