D-T快中子治疗准直屏蔽体设计及中子特性模拟

	D-T快中子治疗准直屏蔽体设计及中子特性模拟
	张宇; 罗鹏; 姚泽恩; 杨巧云; 刘洋
刊名	核技术
	2010-08-10
期号	8 页码:580-583
关键词	准直屏蔽体 D-T中子源快中子治疗源皮距吸收剂量
ISSN号	0253-3219
中文摘要	设计了一个用于D-T快中子治疗的准直屏蔽体,通过D-T中子在准直屏蔽体中的MCNP模拟,计算了屏蔽体外透射中子和透射光子在水中的吸收剂量,由此评价了准直屏蔽体的屏蔽效果。利用MCNP程序,模拟了准直中子束及中子束中的γ射线在源皮距(SSD)100cm处的能谱,计算了γ射线与中子束在水中吸收剂量的比值,对准直中子束中γ射线的污染水平进行了评价。完成了准直中子束在人体组织等效水箱中输运的MCNP模拟,给出了吸收剂量深度分布、吸收剂量横向分布和吸收剂量等剂量曲线。
出版地	SHANGHAI
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.lzu.edu.cn/handle/262010/131069]
专题	核科学与技术学院_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	张宇,罗鹏,姚泽恩,等. D-T快中子治疗准直屏蔽体设计及中子特性模拟[J]. 核技术,2010(8):580-583.
APA	张宇,罗鹏,姚泽恩,杨巧云,&刘洋.(2010).D-T快中子治疗准直屏蔽体设计及中子特性模拟.核技术(8),580-583.
MLA	张宇,et al."D-T快中子治疗准直屏蔽体设计及中子特性模拟".核技术 .8(2010):580-583.