铜团簇束在硅上碰撞沉积的薄膜表面能谱分析

	铜团簇束在硅上碰撞沉积的薄膜表面能谱分析
	李公平; 丁宝卫; 张小东; 丁印锋; 刘正民; 朱德彰; 包良满
刊名	原子与分子物理学报
	2004-05-25
期号	2 页码:191-194
关键词	铜团簇束碰撞沉积单晶硅 XPS谱薄膜中的原子结合能
中文摘要	用一种新型磁控溅射气体凝聚团簇源产生Cu-n(n是团簇原子个数)团簇束,当团簇束分别在偏压为:0,1,3,5,10kV的电场中加速后,在真空中,沉积在室温下的P型Si(111)衬底上,获得Cu/P-Si(111)薄膜样品。用X射线光电子能谱(XPS)分析薄膜,结果表明:薄膜本身不含C和O等杂质;当Cu/P-Si(111)样品暴露在空气中时,样品表面会氧化和碳污染,铜的特征电子峰几乎被湮没。用能量3keV流强为4～6μA/cm2Ar+束,预溅射处理样品表面后,用XPS分析,常规磁控溅射室温下得到的Cu/P-Si(111)样品和铜团簇束沉积,偏压分别为0,1,3,5,10kV的样品XPS谱和块状C...
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.lzu.edu.cn/handle/262010/130898]
专题	核科学与技术学院_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	李公平,丁宝卫,张小东,等. 铜团簇束在硅上碰撞沉积的薄膜表面能谱分析[J]. 原子与分子物理学报,2004(2):191-194.
APA	李公平.,丁宝卫.,张小东.,丁印锋.,刘正民.,...&包良满.(2004).铜团簇束在硅上碰撞沉积的薄膜表面能谱分析.原子与分子物理学报(2),191-194.
MLA	李公平,et al."铜团簇束在硅上碰撞沉积的薄膜表面能谱分析".原子与分子物理学报 .2(2004):191-194.