纳秒赝火花脉冲电子束烧蚀法制备铌酸锂薄膜

	纳秒赝火花脉冲电子束烧蚀法制备铌酸锂薄膜
	江兴流; 韩丽君; 陈思富
刊名	仪器仪表学报
	1996-12-30
期号	S1 页码:3
关键词	脉冲电子束:7573 赝火花:4637 铌酸锂薄膜:3171 激光烧蚀法:2927 性能测试:684 衍射图样:684 国家自然科学基金:628 放电室:625 化学组分:623 氯化钠:617
中文摘要	利用多极板赝火花放电室（ＭＰＣ）产生的纳秒脉冲电子束，在室温条件下沉积了钥酸俚薄膜，所沉积的膜在氯化钠（ＮａＣｌ）、溴化钾（ＫＢｒ）、镍（Ｎｉ）衬底上沿（００６）平面择优取向。文中分析了膜厚与膜的质量之间的相关性。
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.lzu.edu.cn/handle/262010/130731]
专题	核科学与技术学院_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	江兴流,韩丽君,陈思富. 纳秒赝火花脉冲电子束烧蚀法制备铌酸锂薄膜[J]. 仪器仪表学报,1996(S1):3.
APA	江兴流,韩丽君,&陈思富.(1996).纳秒赝火花脉冲电子束烧蚀法制备铌酸锂薄膜.仪器仪表学报(S1),3.
MLA	江兴流,et al."纳秒赝火花脉冲电子束烧蚀法制备铌酸锂薄膜".仪器仪表学报 .S1(1996):3.