多孔硅衬底微波CVD金刚石薄膜的制备及场电子发射研究

	多孔硅衬底微波CVD金刚石薄膜的制备及场电子发射研究
	陈光华; 蔡让岐; 宋雪梅; 邢光建; 阴生毅; 冯贞健; 贺德衍
	2002-10-01
会议名称	2002年材料科学与工程新进展（上）——2002年中国材料研讨会
关键词	多孔硅金刚石薄膜场电子发射
页码	3
中文摘要	本文研究了多孔硅衬底微波CVD金刚石薄膜的制备工艺及场电子发射特性。以多孔硅作为生长金刚石突起阵列的模板,生长出带多微尖的纳米金刚石晶粒,使场电子发射阈值下降(90 mA/cm~2),场发射性能稳定。文中对这种场发射特性提出了理论解释。
会议录	2002年材料科学与工程新进展（上）——2002年中国材料研讨会论文集
语种	中文
内容类型	会议论文
源URL	[http://202.201.7.4/handle/262010/107883]
专题	物理科学与技术学院_会议论文
推荐引用方式 GB/T 7714	陈光华,蔡让岐,宋雪梅,等. 多孔硅衬底微波CVD金刚石薄膜的制备及场电子发射研究[C]. 见:2002年材料科学与工程新进展（上）——2002年中国材料研讨会.