采用热丝辅助MW-ECRCVD法制备高性能a-Si:H薄膜 | |
张文理; 陈光华; 何斌; 朱秀红; 马占洁; 丁毅; 刘国汉; 郜志华; 宋雪梅; 邓金祥 | |
2005-09-01 | |
会议名称 | TFC'05全国薄膜技术学术研讨会 |
关键词 | MW-ECRCVD法 a-Si:H 热丝 氢化非晶硅 电池研究 平板显示器 光敏性 能量转化率 分解率 核心材料 |
页码 | 1 |
中文摘要 | 氢化非晶硅(a-Si∶H)薄膜是硅基薄膜太阳电池的核心材料,而且作为薄膜场效应晶体管在电子摄像,大面积平板显示器等领域的应用也有很大进展。高光敏性及高稳定型的a-Si∶H薄膜的制备,始终是硅基薄膜太阳电池研究和应用中的关键技术,受到各国相关领域的高度重视。我们采用热丝辅助的MW ECR-CVD系统制备氢化非晶硅(a-Si∶H)薄膜。MW ECR-CVD系统产生的等离子体具有能量转化率高,气体分解率高、激发态产物种类较多和基团浓度高 |
会议录 | TFC'05全国薄膜技术学术研讨会论文摘要集 |
语种 | 中文 |
内容类型 | 会议论文 |
源URL | [http://202.201.7.4/handle/262010/107860] |
专题 | 物理科学与技术学院_会议论文 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 张文理,陈光华,何斌,等. 采用热丝辅助MW-ECRCVD法制备高性能a-Si:H薄膜[C]. 见:TFC'05全国薄膜技术学术研讨会. |
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