不同气氛下多孔硅中电子偶素湮没行为的研究

	不同气氛下多孔硅中电子偶素湮没行为的研究
	李卓昕; 王丹妮; 秦秀波; 王宝义; 魏龙; 薛德胜
	2009-11-01
会议名称	第十届全国正电子湮没谱学会议
关键词	电子偶素多孔硅多孔材料孔隙率多孔玻璃顺磁性测量结果拟合结果甲加
页码	1
中文摘要	多孔材料如硅胶、多孔玻璃和沸石作为产生电子偶素的材料,引起了人们广泛的关注。当正电子注入后,这类材料中很容易形成大量电子偶素。实验表明,采用正电子湮没寿命谱技术可在多孔硅材料中观察到长达40ns的湮没寿命成分,直观地说明了电子偶素在多孔硅中的形成; 对于孔隙率为70%的多孔硅薄膜而言,进入膜层的正电子大约有60%形成了电子偶素,表明多孔硅材料具有非常高的电子偶素产额。实验还发现,在不同气氛下的正电子寿命谱具有不同的长寿命成分,正电子寿命-动量关联(AMOC)测量结果进一步表明,不同的气氛对电子偶素的长寿命湮没成分影响非常明显。分析认为可能是顺磁性的氧导致了o-Ps向p-Ps的转化,从而氧气...
会议录	第十届全国正电子湮没谱学会议论文集
语种	中文
内容类型	会议论文
源URL	[http://202.201.7.4/handle/262010/107857]
专题	物理科学与技术学院_会议论文
推荐引用方式 GB/T 7714	李卓昕,王丹妮,秦秀波,等. 不同气氛下多孔硅中电子偶素湮没行为的研究[C]. 见:第十届全国正电子湮没谱学会议.