生长在Si基底上VO_X纳米管形貌的时间影响因子及其气敏性初探

	生长在Si基底上VO_X纳米管形貌的时间影响因子及其气敏性初探
	李明阳; 于明朗; 苏庆; 刘雪芹; 谢二庆; 张晓倩
刊名	物理学报
	2012-11-02
期号	23 页码:362-368
关键词	水热法 VO_x纳米管反应时间气敏
其他题名	生长在Si基底上VO_x纳米管形貌的时间影响因子及其气敏性初探
中文摘要	采用水热法成功制备了在Si基底上的钒氧化物纳米管.通过X射线衍射、拉曼光谱、扫描电子显微镜对纳米管的结构和形貌进行了表征,测试了在不同的搅拌时间和水热反应时间下纳米管形貌的变化以及气敏性质.着重探讨了不同的搅拌时间和水热反应时间对样品形貌和气敏特性的影响.结果表明,水热反应时间越长,样品管状形貌越好,边缘越平滑.其气敏敏感度越好,响应时间也比水热反应时间短的样品要快.VO_X纳米管内径分布在25—35 nm,外径分布在65—100 nm.
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://202.201.7.4:8080/handle/262010/102915]
专题	物理科学与技术学院_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	李明阳,于明朗,苏庆,等. 生长在Si基底上VO_X纳米管形貌的时间影响因子及其气敏性初探[J]. 物理学报,2012(23):362-368.
APA	李明阳,于明朗,苏庆,刘雪芹,谢二庆,&张晓倩.(2012).生长在Si基底上VO_X纳米管形貌的时间影响因子及其气敏性初探.物理学报(23),362-368.
MLA	李明阳,et al."生长在Si基底上VO_X纳米管形貌的时间影响因子及其气敏性初探".物理学报 .23(2012):362-368.