有机反转电致发光器件的负阻特性

	有机反转电致发光器件的负阻特性
	李建丰; 孙硕; 张春林; 李海蓉; 欧谷平; 张福甲
刊名	兰州大学学报(自然科学版)
	2008-04-28
期号	2 页码:124-127
关键词	有机电致发光器件反转型器件负阻现象电流连续性方程
其他题名	有机反转电致发光器件的负阻特性
中文摘要	对结构为Si/Al/Alq_3/PVK:TPD/PTCDA/ITO的有机反转电致发光器件I-V特性的测量发现,其电压出现了峰值的负阻现象.分析表明:高电压注入时,器件内形成了高浓度的等离子体;载流子寿命和迁移率随注入电压变化;特别是体内出现了严重的电导调制效应使得器件由高阻区变为低阻区,这些是形成负阻特性的主要原因.通过引入双极迁移率和双极扩散系数将空穴和电子的电流连续性方程联合起来,解释了具有负阻区段的I-V特性曲线.
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://202.201.7.4:8080/handle/262010/102721]
专题	物理科学与技术学院_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	李建丰,孙硕,张春林,等. 有机反转电致发光器件的负阻特性[J]. 兰州大学学报(自然科学版),2008(2):124-127.
APA	李建丰,孙硕,张春林,李海蓉,欧谷平,&张福甲.(2008).有机反转电致发光器件的负阻特性.兰州大学学报(自然科学版)(2),124-127.
MLA	李建丰,et al."有机反转电致发光器件的负阻特性".兰州大学学报(自然科学版) .2(2008):124-127.