氮气分压对Cu_3N薄膜性质的影响

	氮气分压对Cu_3N薄膜性质的影响
	袁晓梅; 闫鹏勋; 孔凡成; 方延平; 郑晓慧
刊名	中国矿业大学学报/Zhongguo Kuangye Daxue Xuebao/Journal of China University of Mining and Technology
	2008-03-15
卷号	37 期号:2 页码:276-280
关键词	氮化铜薄膜射频磁控溅射表面形貌择优取向 Copper nitride film Crystalline grains size Glass substrate Preferential orientation Radio frequency (RF) Thermal decomposition
ISSN号	10001964
其他题名	Influence of nitrogen partial pressure on the properties of Cu3N films
通讯作者	Yuan, X.-M. (yuanxm03@163.com)
中文摘要	采用反应射频磁控溅射法,通过改变混合气体(N2+Ar)中氮气分压来改变元素的沉积能量和密度,在玻璃基底上制备出了表面光滑、致密的氮化铜(Cu3N)薄膜,研究了不同氮气分压对Cu3N薄膜的择优生长取向和晶粒尺寸的影响.结果表明:随着氮气分压的增加,Cu3N薄膜由沿(111)晶面择优生长转变为沿(100)晶面择优生长,晶粒尺寸变小,表面均方根粗糙度和光学带隙Eopt增大;薄膜在300℃的条件下会完全分解成铜和氮气;薄膜表面的Cu元素以+1价形式存在,Cu2p3/2,Cu2p1/2和N1s峰分别位于932.7,952.7和397.3 eV.
学科主题	933.1.1 Crystal Lattice;931.2 Physical Properties of Gases, Liquids and Solids;804.2 Inorganic Compounds;802.2 Chemical Reactions;801.4 Physical Chemistry;714.2 Semiconductor Devices and Integrated Circuits;544.1 Copper
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://202.201.7.4:8080/handle/262010/102709]
专题	物理科学与技术学院_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	袁晓梅,闫鹏勋,孔凡成,等. 氮气分压对Cu_3N薄膜性质的影响[J]. 中国矿业大学学报/Zhongguo Kuangye Daxue Xuebao/Journal of China University of Mining and Technology,2008,37(2):276-280.
APA	袁晓梅,闫鹏勋,孔凡成,方延平,&郑晓慧.(2008).氮气分压对Cu_3N薄膜性质的影响.中国矿业大学学报/Zhongguo Kuangye Daxue Xuebao/Journal of China University of Mining and Technology,37(2),276-280.
MLA	袁晓梅,et al."氮气分压对Cu_3N薄膜性质的影响".中国矿业大学学报/Zhongguo Kuangye Daxue Xuebao/Journal of China University of Mining and Technology 37.2(2008):276-280.