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窄禁带稀磁半导体二维电子气的拍频振荡
朱博; 桂永胜; 仇志军; 周文政; 姚炜; 郭少令; 褚君浩; 张福甲
刊名物理学报
2006-02-11
期号2页码:786-790
关键词磁性二维电子气 自旋分裂 sp-d交换相互作用 拍频
其他题名窄禁带稀磁半导体二维电子气的拍频振荡
中文摘要通过对调制掺杂的n型Hg_(0.82)Cd_(0.16)Mn_(0.02)Te_Hg_(0.3)Cd_(0.7)Te第一类量子阱中磁性二维电子气磁阻拍频振荡的研究,发现温度、栅压的变化都会引起磁阻拍频节点位置的变化.从对拍频的分析中,可以将依赖于栅压的Rashba自旋-轨道分裂和依赖于温度的巨大塞曼分裂区分开来.
语种中文
内容类型期刊论文
源URL[http://202.201.7.4:8080/handle/262010/102559]  
专题物理科学与技术学院_期刊论文
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GB/T 7714
朱博,桂永胜,仇志军,等. 窄禁带稀磁半导体二维电子气的拍频振荡[J]. 物理学报,2006(2):786-790.
APA 朱博.,桂永胜.,仇志军.,周文政.,姚炜.,...&张福甲.(2006).窄禁带稀磁半导体二维电子气的拍频振荡.物理学报(2),786-790.
MLA 朱博,et al."窄禁带稀磁半导体二维电子气的拍频振荡".物理学报 .2(2006):786-790.
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