多晶氮化铜薄膜制备及性能研究

	多晶氮化铜薄膜制备及性能研究
	岳光辉; 闫鹏勋; 刘金良
刊名	人工晶体学报/Rengong Jingti Xuebao/Journal of Synthetic Crystals
	2005-04-30
卷号	34 期号:2 页码:344-348
关键词	Cu3N薄膜热稳定性电阻率
ISSN号	1000985X
其他题名	Study on preparation and property of polycrystalline copper nitride thin films
中文摘要	采用反应射频磁控溅射的方法在不同的氮气分压的条件下,在玻璃基底上成功制备了氮化铜(Cu3N)薄膜。XRD显示氮气的气氛影响薄膜的择优生长取向,在低氮气气氛时薄膜择优[ 111 ]晶向生长,在高的氮气气氛条件下薄膜的择优生长取向为[100]。用Scherrer公式估算出薄膜晶粒的大小在17~26nm之间,实验并研究了薄膜的热稳定性和电学性质。结果表明,薄膜的热稳定性较差,在200℃退火1h后已经完全呈Cu的相,薄膜的电阻率随着填隙原子的数目减少从导体到绝缘体发生不连续的改变。
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://202.201.7.4:8080/handle/262010/102503]
专题	物理科学与技术学院_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	岳光辉,闫鹏勋,刘金良. 多晶氮化铜薄膜制备及性能研究[J]. 人工晶体学报/Rengong Jingti Xuebao/Journal of Synthetic Crystals,2005,34(2):344-348.
APA	岳光辉,闫鹏勋,&刘金良.(2005).多晶氮化铜薄膜制备及性能研究.人工晶体学报/Rengong Jingti Xuebao/Journal of Synthetic Crystals,34(2),344-348.
MLA	岳光辉,et al."多晶氮化铜薄膜制备及性能研究".人工晶体学报/Rengong Jingti Xuebao/Journal of Synthetic Crystals 34.2(2005):344-348.