北京慢正电子强束流性能研究

	北京慢正电子强束流性能研究
	曹兴忠; 王宝义; 章志明; 魏存峰; 张天保; 薛德胜; 魏龙
刊名	核技术
	2004-06-10
期号	6 页码:435-439
关键词	慢正电子束流强度传输效率存贮效率
其他题名	北京慢正电子强束流性能研究
中文摘要	采用电子束流以及脉冲慢正电子束流对系统进行了调试,对束流系统的性能参数进行了测定和研究。实验结果表明,系统对于模拟电子的传输效率高于98%,电子束斑直径小于5mm。在目前加速器短脉冲的运行模式下,脉冲慢正电子束流的强度达到了105/s以上,IP成像板束流沉积形貌直径小于15mm,脉冲慢正电子束流微分能谱半高宽(FWHM)约为10eV;;在高于3×10?Pa的超高真空中,慢正电子在直流化管道内7存贮40ms后,束流强度减弱到原来的50%。系统各项性能运行参数达到了设计要求。
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://202.201.7.4:8080/handle/262010/102434]
专题	物理科学与技术学院_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	曹兴忠,王宝义,章志明,等. 北京慢正电子强束流性能研究[J]. 核技术,2004(6):435-439.
APA	曹兴忠.,王宝义.,章志明.,魏存峰.,张天保.,...&魏龙.(2004).北京慢正电子强束流性能研究.核技术(6),435-439.
MLA	曹兴忠,et al."北京慢正电子强束流性能研究".核技术 .6(2004):435-439.