电化学沉积非晶NiO_xH_y膜的电致变色特性及其机理

	电化学沉积非晶NiO_xH_y膜的电致变色特性及其机理
	冯博学; 谢亮; 蔡兴民; 蒋生蕊; 甘润今
刊名	半导体学报/Pan Tao Ti Hsueh Pao/Chinese Journal of Semiconductors
	2001-02-08
卷号	22 期号:2 页码:193-197
关键词	电化学沉积 NiOxHy膜电致变色 Electrochemical deposition Electrochemical performance
ISSN号	02534177
其他题名	Electrochromic performance and mechanism of noncrystalline NiOxHy thin films fabricated by electrochemical deposition
通讯作者	Feng, B.X.
中文摘要	研究了用电化学方法在 Sn O2 基底上沉积的 Ni Ox Hy 膜电致变色特性 ,该膜是一种富氧结构 ,具有优良的变色特性 ,其透射式光密度ΔOD在可见光区可达 1以上 .Ni Ox Hy 膜在 KOH电解液中的电致变色行为是由质子的注入或萃取所决定 .H+注入并占据 Ni空位 ,会使一部分 Ni3+转化为 Ni2 + ,Ni3+的减少将导致光透性增强 ,这是因为Ni的 d电子能级在 Ni O6 八面体晶场中被分裂为 t2 g和 eg 能级 .H+的注入使 Ni3+的 t2 g能级被电子填满 ,变为 Ni2 + ,导致光学透明 .反之 ,H+ 的萃取使 t2 g能级出现空穴 ,即形成 Ni3...
学科主题	701.1 Electricity: Basic Concepts and Phenomena;741.1 Light/Optics;804.2 Inorganic Compounds;931.3 Atomic and Molecular Physics;933.2 Amorphous Solids
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://202.201.7.4:8080/handle/262010/102289]
专题	物理科学与技术学院_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	冯博学,谢亮,蔡兴民,等. 电化学沉积非晶NiO_xH_y膜的电致变色特性及其机理[J]. 半导体学报/Pan Tao Ti Hsueh Pao/Chinese Journal of Semiconductors,2001,22(2):193-197.
APA	冯博学,谢亮,蔡兴民,蒋生蕊,&甘润今.(2001).电化学沉积非晶NiO_xH_y膜的电致变色特性及其机理.半导体学报/Pan Tao Ti Hsueh Pao/Chinese Journal of Semiconductors,22(2),193-197.
MLA	冯博学,et al."电化学沉积非晶NiO_xH_y膜的电致变色特性及其机理".半导体学报/Pan Tao Ti Hsueh Pao/Chinese Journal of Semiconductors 22.2(2001):193-197.