纳米硅薄膜的低温电输运机制

	纳米硅薄膜的低温电输运机制
	徐刚毅; 王天民; 何宇亮; 马智训; 郑国珍
刊名	物理学报/Wuli Xuebao/Acta Physica Sinica
	2000-09-12
卷号	49 期号:9 页码:1798-1803
关键词	纳米硅薄膜低温电导电输运
ISSN号	10003290
其他题名	Transport mechanism in nanocrystalline silicon films at low temperature
中文摘要	在很宽的温度范围 (5 0 0— 2 0K)研究了本征和不同掺磷浓度的纳米硅薄膜的电输运现象 .发现原先的异质结量子点隧穿 (HQD)模型能很好地解释薄膜在高温下 (5 0 0— 2 0 0K)的电导曲线 ,但明显偏离低温下的实验值 .低温电导 (10 0— 2 0K)具有单一的激活能W ,并与kBT值大小相当 (W～ 1— 3kBT) ,呈现出Hopping电导的特征 .对HQD模型做了修正 ,认为纳米硅同时存在两种输运机制 :热激发辅助的电子隧穿和费米能级附近定域态之间的Hopping电导 .高温时 (T >2 0 0K)以电子隧穿为主 ,低温时 (T
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://202.201.7.4:8080/handle/262010/102273]
专题	物理科学与技术学院_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	徐刚毅,王天民,何宇亮,等. 纳米硅薄膜的低温电输运机制[J]. 物理学报/Wuli Xuebao/Acta Physica Sinica,2000,49(9):1798-1803.
APA	徐刚毅,王天民,何宇亮,马智训,&郑国珍.(2000).纳米硅薄膜的低温电输运机制.物理学报/Wuli Xuebao/Acta Physica Sinica,49(9),1798-1803.
MLA	徐刚毅,et al."纳米硅薄膜的低温电输运机制".物理学报/Wuli Xuebao/Acta Physica Sinica 49.9(2000):1798-1803.