等离子体增强热丝CVD法生长cBN薄膜中的衬底效应

	等离子体增强热丝CVD法生长cBN薄膜中的衬底效应
	陈光华; 张兴旺; 岳金顺; 严辉
刊名	人工晶体学报
	1997-11-30
期号	Z1 页码:1
关键词	立方氮化硼薄膜 CVD法衬底
其他题名	等离子体增强热丝CVD法生长cBN薄膜中的衬底效应
中文摘要	立方氮化硼（ｃＢＮ）是一种新型的人工合成功能材料，它除了具有一系列与金刚石类似的优异的物理化学性质，如高的硬度、宽的带隙、高的电阻率和高的热导率外，还具有一些独特的优于金刚石的性质。这些性质使得ｃＢＮ在力学、光学和电子学等方面具有广泛的应用前景，这就需要在多种不同衬底材料上生长ｃＢＮ薄膜，并且衬底材料对ｃＢＮ薄膜的成核和生长有非常重要的影响。本文报道用射频等离子体增强热丝化学汽相沉积（ＣＶＤ）方法，在多种衬底上生长的ｃＢＮ薄膜的质量，包括生长的立方相比例，取向生长，表面形貌及粘附状况等，并着重讨论不同衬底对ｃＢＮ薄膜生长的影响。所用设备是等离子体增强热丝ＣＶＤ系统［２］；反应气体为ＮＨ３＋Ｂ２...
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://202.201.7.4:8080/handle/262010/102197]
专题	物理科学与技术学院_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	陈光华,张兴旺,岳金顺,等. 等离子体增强热丝CVD法生长cBN薄膜中的衬底效应[J]. 人工晶体学报,1997(Z1):1.
APA	陈光华,张兴旺,岳金顺,&严辉.(1997).等离子体增强热丝CVD法生长cBN薄膜中的衬底效应.人工晶体学报(Z1),1.
MLA	陈光华,et al."等离子体增强热丝CVD法生长cBN薄膜中的衬底效应".人工晶体学报 .Z1(1997):1.