直流弧光放电化学气相沉积（CVD）法制备金刚石薄膜及其等离子体的光发射谱原位测量

	直流弧光放电化学气相沉积（CVD）法制备金刚石薄膜及其等离子体的光发射谱原位测量
	张仿清; 张亚非; 杨映虎; 李敬起; 陈光华; 蒋翔六
刊名	物理学报
	1990-12-27
期号	12 页码:1965-1969+2030
关键词	光发射谱:5550 直流弧光放电:5425 原位测量:3085 金刚石薄膜:2992 等离子体CVD:2468 化学气相沉积:2398 金刚石膜:2215 流量比:1363 H原子:1183 合成金刚石:1122
其他题名	直流弧光放电化学气相沉积(CVD)法制备金刚石薄膜及其等离子体的光发射谱原位测量
中文摘要	应用直流弧光放电分解CH_4和H_2混合气体成功地实现了高速生长多晶金刚石膜,应用扫描电子显微镜、X射线衍射仪、Raman谱仪对所得样品进行检测和分析,为了弄清楚金刚石膜的生长机理,在实际生长环境下“原位”测量了不同条件下直流弧光等离子体的光发射谱,结果发现:高速生长金刚石膜的关键是该气相反应中有大量的原子H存在。
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://202.201.7.4:8080/handle/262010/101884]
专题	物理科学与技术学院_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	张仿清,张亚非,杨映虎,等. 直流弧光放电化学气相沉积（CVD）法制备金刚石薄膜及其等离子体的光发射谱原位测量[J]. 物理学报,1990(12):1965-1969+2030.
APA	张仿清,张亚非,杨映虎,李敬起,陈光华,&蒋翔六.(1990).直流弧光放电化学气相沉积（CVD）法制备金刚石薄膜及其等离子体的光发射谱原位测量.物理学报(12),1965-1969+2030.
MLA	张仿清,et al."直流弧光放电化学气相沉积（CVD）法制备金刚石薄膜及其等离子体的光发射谱原位测量".物理学报 .12(1990):1965-1969+2030.