用温度调制空间电荷限制电流法研究GD-a-Sic:H膜的隙态密度

	用温度调制空间电荷限制电流法研究GD-a-Sic:H膜的隙态密度
	王印月; 王辉耀; 张仿清
刊名	兰州大学学报
	1990-10-01
期号	3 页码:37-41
关键词	温度调剂空间电荷限制电流先诱导效应非晶硅隙态密度
其他题名	用温度调制空间电荷限制电流法研究GD-a-Sic∶H膜的隙态密度
中文摘要	本文用温度调制空间电荷限制电流法测得了 GD-a-Si_(1-x)C_x∶H 膜不同碳含量 x 时的隙态密度,得到了光处理前后隙态密度的变化情况,发现强光照后存在有光诱导缺陷态效应,文中还就该方法本身的优越性进行了讨论.
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://202.201.7.4:8080/handle/262010/101873]
专题	物理科学与技术学院_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	王印月,王辉耀,张仿清. 用温度调制空间电荷限制电流法研究GD-a-Sic:H膜的隙态密度[J]. 兰州大学学报,1990(3):37-41.
APA	王印月,王辉耀,&张仿清.(1990).用温度调制空间电荷限制电流法研究GD-a-Sic:H膜的隙态密度.兰州大学学报(3),37-41.
MLA	王印月,et al."用温度调制空间电荷限制电流法研究GD-a-Sic:H膜的隙态密度".兰州大学学报 .3(1990):37-41.