无金和掺金Si-SiO_2界面的氧退火特性

	无金和掺金Si-SiO_2界面的氧退火特性
	李思渊; 张同军; 王毓珍; 李寿嵩; 殷之平
刊名	物理学报
	1985-06-30
期号	6 页码:715-724
关键词	掺金:5420 氧退火:4620 界面态密度:4161 Si-SiO_2:3041 表面电荷:2613 界面硅:2081 浅谷:1957 能态:1852 退火温度:1666 禁带:1224
其他题名	无金和掺金Si-SiO_2界面的氧退火特性
中文摘要	本文从实验上研究了氧退火后无金和掺金两类Si-SiO_2界面表面电荷、界面态以及禁带中态密度分布的热处理变化。考察了金的界面效应的退火行为。还给出了不同温度下干氧氧化所形成的Si-SiO_2界面(包括无金和掺金的)和相同温度下氧退火界面在电性能上的对比结果。
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://202.201.7.4:8080/handle/262010/101716]
专题	物理科学与技术学院_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	李思渊,张同军,王毓珍,等. 无金和掺金Si-SiO_2界面的氧退火特性[J]. 物理学报,1985(6):715-724.
APA	李思渊,张同军,王毓珍,李寿嵩,&殷之平.(1985).无金和掺金Si-SiO_2界面的氧退火特性.物理学报(6),715-724.
MLA	李思渊,et al."无金和掺金Si-SiO_2界面的氧退火特性".物理学报 .6(1985):715-724.