激光在半导体学科中的应用

	激光在半导体学科中的应用
	郑克全; 张思玉
刊名	激光与红外
	1984-11-26
期号	11 页码:5-11
关键词	激光退火:4027 太阳能电池:3632 半导体器件:3415 半导体材料:3119 离子注入:3048 欧姆接触:2993 载流子浓度:2970 多晶硅:2882 激光沉积:2636 热退火:2617
其他题名	激光在半导体学科中的应用
中文摘要	电子工业正在迅速发展的今天,要求集成电路向高速度、高集成度、高可靠性、低成本和低功率消耗方向发展。因此对半导体材料和器件生产提出了更高的要求,如提高微细加工,薄层外延,低温浅结掺杂等工艺水平。微波二极管,晶体管和太阳能电池也要求突变结掺杂及低温浅结扩散技术。为了提高产品的成品率和可靠性,就要求减少或者消除工艺过程中引起新的缺陷。目前在半导体器件生产以热退火的工艺中,还不能完全解决上面提出的高
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://202.201.7.4:8080/handle/262010/101702]
专题	物理科学与技术学院_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	郑克全,张思玉. 激光在半导体学科中的应用[J]. 激光与红外,1984(11):5-11.
APA	郑克全,&张思玉.(1984).激光在半导体学科中的应用.激光与红外(11),5-11.
MLA	郑克全,et al."激光在半导体学科中的应用".激光与红外 .11(1984):5-11.