对掺Mn的硫系非晶态半导体电导特性的研究

	对掺Mn的硫系非晶态半导体电导特性的研究
	陈光华; 王印月; 张南屏; 张仿清; 吴锦华
刊名	贵金属
	1981-12-31
期号	4 页码:48-49
关键词	跳跃电导:5390 电导特性:5104 实验结果:2755 过渡元素:2659 低温:2439 电导激活能:2395 配价键:2314 变程:2227 非晶态半导体:2151 原子:1891
其他题名	对掺Mn的硫系非晶态半导体电导特性的研究
中文摘要	本文主要研究了过渡元素Mn对硫系化合物As_(35)Te_(55)Si_(10)电导特性的影响,测量??的实验结果表明,不论掺杂与否,该材料在低温下均有变程跳跃电导,即在低温下电导满足下式:??
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://202.201.7.4:8080/handle/262010/101649]
专题	物理科学与技术学院_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	陈光华,王印月,张南屏,等. 对掺Mn的硫系非晶态半导体电导特性的研究[J]. 贵金属,1981(4):48-49.
APA	陈光华,王印月,张南屏,张仿清,&吴锦华.(1981).对掺Mn的硫系非晶态半导体电导特性的研究.贵金属(4),48-49.
MLA	陈光华,et al."对掺Mn的硫系非晶态半导体电导特性的研究".贵金属 .4(1981):48-49.