非晶态半导体Ge_(15)Te_(81)S_2Sb_2中掺Mn的研究

	非晶态半导体Ge_(15)Te_(81)S_2Sb_2中掺Mn的研究
	陈光华; 吴锦华; 王印月; 甘润今
刊名	仪表材料
	1980-10-27
期号	5 页码:57
关键词	电导率:8067 非晶态半导体:3777 激活能:2865 曲线:1782 讯号:1630 测量结果:1264 极小值:1224 掺杂量:1184 温度关系:1027 掺入:1020
其他题名	非晶态半导体Ge_(15)Te_(81)S_2Sb_2中掺Mn的研究
中文摘要	本文对掺有重量比为0、0．1％,0．5％和1．0％Mn的Ge15Te81S2Sb2进行了X-射线衍射谱和ESR的测量,以及电导率与温度关系的测量。从X射线衍射曲线来看,既没有Ge15Te81S2Sb2晶态尖峰,又没有Mn或Mn的化合物的谱线出现。说明4种不同Mn含量的样品都是非晶态半导体。从ESR测量结果得出：没有掺Mn的Ge15Te81S2Sb2是没有ESR讯号的,ESR讯号强度随掺Mn量的增加而增大,是由于顺磁性Mn量增加的结果。观察到g因子=2．00的讯号是起因于相分离的Te-Mn群聚。掺Mn量从0．1-1．0％之间在Mn周围的相互作用有个极小值,掺在这个极小值上时的非晶态可能比较稳定。...
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://202.201.7.4:8080/handle/262010/101640]
专题	物理科学与技术学院_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	陈光华,吴锦华,王印月,等. 非晶态半导体Ge_(15)Te_(81)S_2Sb_2中掺Mn的研究[J]. 仪表材料,1980(5):57.
APA	陈光华,吴锦华,王印月,&甘润今.(1980).非晶态半导体Ge_(15)Te_(81)S_2Sb_2中掺Mn的研究.仪表材料(5),57.
MLA	陈光华,et al."非晶态半导体Ge_(15)Te_(81)S_2Sb_2中掺Mn的研究".仪表材料 .5(1980):57.