为提高硅器件质量而进行的工艺措施

	为提高硅器件质量而进行的工艺措施
	兰州大学物理系半导体专业赴宁光厂毕业实践队
刊名	兰州大学学报
	1975-10-01
期号	3 页码:56-71
关键词	阳极氧化:6424 工艺措施:5275 器件质量:3765 高频功率发生器:2583 光刻胶:1674 真空吸头:1401 结特性:1322 大学学报:1096 去胶:1093 二次氧化:1062
其他题名	为提高硅器件质量而进行的工艺措施
中文摘要	一、HCI氧化在硅器件生产中的应用 HCl氧化作为Si平面器件钝化措施之一,在国内已开始用于生产上。目前认为:①HCl处理管道,可以清除管道内的N_3~+、②干O_2过程中加入适量HCl汽体,可减小N_a~+沾污、③HCl使SiO_2层钝化,且可以减少界面态。但是也有人认为HCl处理使
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://202.201.7.4:8080/handle/262010/101605]
专题	物理科学与技术学院_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	兰州大学物理系半导体专业赴宁光厂毕业实践队. 为提高硅器件质量而进行的工艺措施[J]. 兰州大学学报,1975(3):56-71.
APA	兰州大学物理系半导体专业赴宁光厂毕业实践队.(1975).为提高硅器件质量而进行的工艺措施.兰州大学学报(3),56-71.
MLA	兰州大学物理系半导体专业赴宁光厂毕业实践队."为提高硅器件质量而进行的工艺措施".兰州大学学报 .3(1975):56-71.