La在Si_SiO_2界面的电效应

	La在Si_SiO_2界面的电效应
	李思渊; 张同军; 李寿嵩; 王毓珍
刊名	电子科学学刊
	1985-06-30
期号	3 页码:238-240
关键词	电效应:8237 样片:3652 控制片:2390 兰州大学:1577 电子能谱分析:1436 退火时间:1412 Si片:1391 互作用:1323 组分剖析:1225 热处理变:1161
其他题名	La在Si/SiO_2界面的电效应
中文摘要	(一)引言除金(Au)以外,作者们还曾详细地介绍过稀有金属钯(Pd)、钆(Gd)、铑(Rh)等在si/SiO_2界面呈现的类似的负电效应。并且讨论过该效应的普遍性及其改善器件表面性质的可能性。近来我们在实验中,又观察到镧(La)也是具有负电效应的杂质,同样能引起MOS结构C-V曲线,包括高频和准静态曲线,沿正栅压方向明显移动。本文介绍的是掺La界面电特性的主要结果。 (二)实验 MOS样品是在电阻率为8—12Ωcm的P型Si单晶片上制成的。Si片是经研磨、SiO_2胶体抛光和化学抛光制成的,厚度约为300μm。在1150℃下HC1和干氧的混合气流中氧化30min,使Si片表...
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://202.201.7.4:8080/handle/262010/101525]
专题	物理科学与技术学院_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	李思渊,张同军,李寿嵩,等. La在Si_SiO_2界面的电效应[J]. 电子科学学刊,1985(3):238-240.
APA	李思渊,张同军,李寿嵩,&王毓珍.(1985).La在Si_SiO_2界面的电效应.电子科学学刊(3),238-240.
MLA	李思渊,et al."La在Si_SiO_2界面的电效应".电子科学学刊 .3(1985):238-240.