掺杂的a-Si_(1-x)C_x_H膜的LESR研究

	掺杂的a-Si_(1-x)C_x_H膜的LESR研究
	陈光华; 张仿清; 徐希翔; 森本章治; 久米田稔; 清水立生
刊名	物理学报
	1986-05-01
期号	4 页码:517-522
关键词	H膜:7106 悬挂键密度:3664 a-Si:3379 ESR研究:3129 B掺杂:1976 空穴:1925 价带:1775 定域化:1458 非晶硅太阳电池:1081 R测量:890
其他题名	掺杂的a-Si_(1-x)C_x:H膜的LESR研究
中文摘要	本文系统地研究了77K下掺杂(B或P)的a-Si_(1-x)C_x:H膜在平衡状态和弱光照下的ESR 特性,文中报道了该膜价带尾态中定域化空穴的ESR吸收谱。实验结果还表明:虽然a-Si_(1-x)C_x:H膜中由于B掺杂会引起光电导的改善,但却不能使悬挂键总浓度减小。
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://202.201.7.4:8080/handle/262010/101484]
专题	物理科学与技术学院_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	陈光华,张仿清,徐希翔,等. 掺杂的a-Si_(1-x)C_x_H膜的LESR研究[J]. 物理学报,1986(4):517-522.
APA	陈光华,张仿清,徐希翔,森本章治,久米田稔,&清水立生.(1986).掺杂的a-Si_(1-x)C_x_H膜的LESR研究.物理学报(4),517-522.
MLA	陈光华,et al."掺杂的a-Si_(1-x)C_x_H膜的LESR研究".物理学报 .4(1986):517-522.