电子束蒸发α-Si↓（1-x）Cr↓x薄膜的ESR研究

	电子束蒸发α-Si↓（1-x）Cr↓x薄膜的ESR研究
	甘润今; 陈光华; 张津燕; 张仿清
刊名	兰州大学学报
	1993-07-02
期号	2 页码:37-42
关键词	电子自旋共振 a-Si 薄膜过渡金属悬挂键
其他题名	电子束蒸发a-Si_(1-x)Cr_x薄膜的ESR研究
中文摘要	本文报导对电子束蒸发的 a-Si_(1-x)Cr_x 薄膜的 ESR 研完结果.实验结果表明,随掺 Cr 组分 X 的变化,薄膜的各个 ESR 特性参数都发生变化:(2.0034±0.0001)≤g≤(2.0052±0.0001).线型因子1为(2.14±0.01)≤1≤(3.57±0.01),峰峰宽△Bpp 为(6.20±0.05)G≤△Bpp≤(8.70±0.05)G.基于这些实验结果,我们采用 S.E.Barnes 的 ESR 动力理论对结果进行了分析讨论,揭示出 Cr 原子对 a-Si 薄膜悬挂键的补偿,Cr 原子的3d 局域自旋磁矩与传导电子的交换互作用是使 ESR 参数变化的原因.
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://202.201.7.4:8080/handle/262010/101236]
专题	物理科学与技术学院_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	甘润今,陈光华,张津燕,等. 电子束蒸发α-Si↓（1-x）Cr↓x薄膜的ESR研究[J]. 兰州大学学报,1993(2):37-42.
APA	甘润今,陈光华,张津燕,&张仿清.(1993).电子束蒸发α-Si↓（1-x）Cr↓x薄膜的ESR研究.兰州大学学报(2),37-42.
MLA	甘润今,et al."电子束蒸发α-Si↓（1-x）Cr↓x薄膜的ESR研究".兰州大学学报 .2(1993):37-42.