恒磁场对Si、Ge基二极管I-V特性的影响及机理分析

	恒磁场对Si、Ge基二极管I-V特性的影响及机理分析
	张国宾; 申开盛; 王朝林; 易忠; 孟立飞; 刘肃
刊名	电子器件
	2010-10-20
期号	5 页码:553-556
关键词	磁场二极管反向饱和电流 I-V特性
其他题名	恒磁场对Si、Ge基二极管I-V特性的影响及机理分析
中文摘要	在恒磁场为0～2 T的范围内,对Si、Ge基二极管的反向饱和电流和正向电流进行了测试。结果表明,在一定的电学条件下,随着磁感应强度B的增大,磁场对Ge基二极管的反向饱和电流的影响比Si基二极管的更明显。磁场对Si基二极管的正向特性几乎没有影响,但可以观测到Ge基二极管的正向电流随磁场的增强发生了变化。依据半导体理论基础,对实验结果进行了分析并通过建立理论模型对磁场中二极管的I-V特性进行了模拟。
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://202.201.7.4:8080/handle/262010/101139]
专题	物理科学与技术学院_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	张国宾,申开盛,王朝林,等. 恒磁场对Si、Ge基二极管I-V特性的影响及机理分析[J]. 电子器件,2010(5):553-556.
APA	张国宾,申开盛,王朝林,易忠,孟立飞,&刘肃.(2010).恒磁场对Si、Ge基二极管I-V特性的影响及机理分析.电子器件(5),553-556.
MLA	张国宾,et al."恒磁场对Si、Ge基二极管I-V特性的影响及机理分析".电子器件 .5(2010):553-556.