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多孔β-SiC薄膜的蓝光发射
张志敏; 谢二庆; 林洪峰; 马紫微; 叶凡; 贺德衍
刊名半导体学报
2003-09-08
期号9页码:942-945
关键词电化学腐蚀 多孔SiC薄膜 蓝光发射 PL SEM
其他题名多孔β-SiC薄膜的蓝光发射
中文摘要通过射频溅射的方法在单晶硅衬底上沉积了 β SiC薄膜 ,用HF酸 (40 % )和C2 H5OH(99% )的混合溶液对 β SiC薄膜进行了电化学腐蚀处理 ,形成了多孔 β SiC(PSC)薄膜 .利用荧光分光光度计研究了样品的光致发光 (PL)特性 ,用原子力显微镜 (AFM)和扫描电子显微镜 (SEM )观察了样品腐蚀前后的表面形貌 .结果表明 :多孔 β SiC薄膜具有较强的蓝光发射特性 ;通过改变腐蚀时间 ,可以改变蓝光发射的强度 ,也可以观察到蓝光 红光同时发射的现象 ;降低HF酸的浓度 ,蓝光发射峰明显变弱 ,并对多孔 β SiC薄膜的发光机理及其微观结构进行了讨论 .
语种中文
内容类型期刊论文
源URL[http://202.201.7.4:8080/handle/262010/101111]  
专题物理科学与技术学院_期刊论文
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GB/T 7714
张志敏,谢二庆,林洪峰,等. 多孔β-SiC薄膜的蓝光发射[J]. 半导体学报,2003(9):942-945.
APA 张志敏,谢二庆,林洪峰,马紫微,叶凡,&贺德衍.(2003).多孔β-SiC薄膜的蓝光发射.半导体学报(9),942-945.
MLA 张志敏,et al."多孔β-SiC薄膜的蓝光发射".半导体学报 .9(2003):942-945.
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