新型光存储材料Sr_2SnO_4:Tb~(3+),Li~+的合成及其红外上转换光激励发光性能的研究

	新型光存储材料Sr_2SnO_4:Tb~(3+),Li~+的合成及其红外上转换光激励发光性能的研究
	秦青松; 马新龙; 邵宇; 杨星瑜; 盛鸿飞; 杨靖忠; 尹瑶; 张加驰
刊名	物理学报
	2012-05-08
期号	9 页码:466-469
关键词	Sr_2SnO_4 Tb~(3+) Li~+ 光激励发光光存储
其他题名	新型光存储材料Sr_2SnO_4:Tb~(3+);Li~+的合成及其红外上转换光激励发光性能的研究
中文摘要	采用高温固相法获得了一种只具有微弱余辉的新型电子俘获型光存储材料Sr_2SnO_4:Tb~(3+),Li~+.发光性能研究结果表明:该材料对980/nm的红外激光具有很好的上转换光激励信息读出响应,同时292 nm紫外光为其最佳信息写入光源.光存储性能研究结果表明:该材料的浅陷阱较少,因此其余辉发光很弱,不到500 s;另一方面,该材料中存在大量的深蓄能陷阱.因此,Sr_2SnO_4:Tb~3+,Li~+是一种具有较好实际应用价值的新型电子俘获型光存储材料.此外,还讨论了Sr_2SnO_4:Tb~(3+),Li~+的光存储发光机理.
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://202.201.7.4:8080/handle/262010/100957]
专题	物理科学与技术学院_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	秦青松,马新龙,邵宇,等. 新型光存储材料Sr_2SnO_4:Tb~(3+),Li~+的合成及其红外上转换光激励发光性能的研究[J]. 物理学报,2012(9):466-469.
APA	秦青松.,马新龙.,邵宇.,杨星瑜.,盛鸿飞.,...&张加驰.(2012).新型光存储材料Sr_2SnO_4:Tb~(3+),Li~+的合成及其红外上转换光激励发光性能的研究.物理学报(9),466-469.
MLA	秦青松,et al."新型光存储材料Sr_2SnO_4:Tb~(3+),Li~+的合成及其红外上转换光激励发光性能的研究".物理学报 .9(2012):466-469.