10×10InGaAsP_InP阵列波导光栅器件的研制 | |
雷红兵; 于丽娟; 陆巧银; 国伟华; 韩春林; 黄永箴 | |
刊名 | 高技术通讯/Gaojishu Tongxin/High Technology Letters
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2003-06-28 | |
卷号 | 13期号:6页码:49-50 |
关键词 | InGaAsP/InP 光波导器件 波分复用 |
ISSN号 | 10020470 |
其他题名 | Fabrication of 1010 InGaAsP/InP array waveguide grating |
中文摘要 | 研制了脊形波导结构的10×10InGaAsP/InP阵列波导光栅器件(AWG),并采用掺铒光纤放大器(EDFA)作宽带光源测量了AWG的近场图以及分光特性。 |
语种 | 中文 |
内容类型 | 期刊论文 |
源URL | [http://202.201.7.4:8080/handle/262010/100932] ![]() |
专题 | 物理科学与技术学院_期刊论文 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 雷红兵,于丽娟,陆巧银,等. 10×10InGaAsP_InP阵列波导光栅器件的研制[J]. 高技术通讯/Gaojishu Tongxin/High Technology Letters,2003,13(6):49-50. |
APA | 雷红兵,于丽娟,陆巧银,国伟华,韩春林,&黄永箴.(2003).10×10InGaAsP_InP阵列波导光栅器件的研制.高技术通讯/Gaojishu Tongxin/High Technology Letters,13(6),49-50. |
MLA | 雷红兵,et al."10×10InGaAsP_InP阵列波导光栅器件的研制".高技术通讯/Gaojishu Tongxin/High Technology Letters 13.6(2003):49-50. |
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