| 题名 | 几种宽禁带半导体电子结构以及热电性质的第一性原理研究; Electronic structures and thermoelectric properties of several wide-band-gap semiconductors |
| 作者 | 黄政 |
| 答辩日期 | 2016-12-22 ; 2016-05-15 |
| 导师 | 郑金成 |
| 关键词 | 热电 宽禁带 第一性原理 Thermoelectric Wide-band-gap First principle |
| 英文摘要 | 由于化石能源的飞速消耗以及人类在应用化石能源过程中造成的环境污染，开发清洁可持续的新能源成为研究热点，热电作为新能源开发中的一员，在研究中遇到的主要问题是材料的热电转换效率难以提高。本文的主要工作是以第一性原理为基础，以SiC，GaN，ZnO等几种宽禁带半导体为对象，研究宽禁带半导体材料结构变化与其热电效率高低的关系。通过Quantumespresso和WIEN2k计算材料的电子结构，再用Boltztrap软件计算材料的热电性质，我们可以比较不同结构的同种化合物热电性质的变化情况，并找出定性的规律，为实验人员提供理论支持。 第一部分的工作主要内容是研究Ⅱ-Ⅵ族化合物（ZnO），Ⅲ-Ⅴ族化合物...; Thermoelectric (TE) materials have attracted a lot of attention in recent years because of their ability to convert heat energy into electricity with reduced pollution. The thermal–electricity conversion efficiency of TE materials is defined as the dimensionless figure of merit ZT and it is hard to improve. Wide-band-gap semiconductors such as SiC, GaN and ZnO have attracted interests from scienti...; 学位：工学硕士; 院系专业：物理科学与技术学院_光伏工程; 学号：19820131152982 |
| 语种 | zh_CN |
| 出处 | http://210.34.4.13:8080/lunwen/detail.asp?serial=55889 |
| 内容类型 | 学位论文 |
| 源URL | [http://dspace.xmu.edu.cn/handle/2288/134415]  |
| 专题 | 物理技术－学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 黄政. 几种宽禁带半导体电子结构以及热电性质的第一性原理研究, Electronic structures and thermoelectric properties of several wide-band-gap semiconductors[D]. 2016, 2016. |
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