| 题名 | 原子层沉积HfO2薄膜及其1D1R器件阻变特性研究; Resistive switching property of HfO2 film prepared by atomic layer deposition and its 1D1R device |
| 作者 | 陆超 |
| 答辩日期 | 2016-12-23 ; 2016-05-14 |
| 导师 | 黄巍 |
| 关键词 | 阻变存储器 原子层沉积 HfO2 Resistive switching random access memory (RRAM) Atomic layer deposition (ALD) HfO2 |
| 英文摘要 | 随着信息科学与微电子技术的发展，闪存已经成为今天市场上主流的非易失性存储器。但是随着浮栅存储器件尺寸的不断缩小，浮栅耦合、电荷泄漏、单元之间的串扰等问题日益严峻，开发更小尺寸、更低功耗和更高集成度的新型存储单元已成必然趋势。在新型非易失性存储器的研究中，阻变存储器由于结构简单、读写速度快、存储密度高、操作电压低、与CMOS工艺兼容性好等优势有望成为新一代非易失性存储器。本文基于原子层沉积生长的HfO2薄膜，研究了在不同温度下原子层沉积生长HfO2薄膜的阻变特性，确定了最佳工艺温度；在此基础上，设计了一种新型的1D1R阻变单元器件，阐述了器件的设计思路和制作过程，测试了该器件的阻变特性，分析了器...; With the development of the information sciences and microelectronics, the flash memory has become the mainstream of nonvolatile memories in the market. As the device scaling down, problems such as floating gate coupling, charge leakage, and crosstalk between memory cells become more and more serious, so that developing novel memory cell with smaller size, lower power consumption and with higher i...; 学位：工程硕士; 院系专业：物理科学与技术学院_工程硕士(电子与通信工程); 学号：19820131152993 |
| 语种 | zh_CN |
| 出处 | http://210.34.4.13:8080/lunwen/detail.asp?serial=56805 |
| 内容类型 | 学位论文 |
| 源URL | [http://dspace.xmu.edu.cn/handle/2288/134382]  |
| 专题 | 物理技术－学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陆超. 原子层沉积HfO2薄膜及其1D1R器件阻变特性研究, Resistive switching property of HfO2 film prepared by atomic layer deposition and its 1D1R device[D]. 2016, 2016. |
| 个性服务 |
| 查看访问统计 |
| 相关权益政策 |
| 暂无数据 |
| 收藏/分享 |
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论