| 题名 | InGaN低维材料载流子动力学研究及及GaN基绿光垂直腔面发射激光器制作; Carrier Dynamics in Low-dimensional InGaN Materials and Fabrication of GaN-based Green-emitting VCSELs |
| 作者 | 翁国恩 |
| 答辩日期 | 2016-03-22 ; 2015-05-26 |
| 导师 | 张保平 |
| 关键词 | InGaN低维材料 非对称耦合量子阱 量子点 载流子动力学 垂直腔面发射激光器 Low-dimensional InGaN material Asymmetric coupled quantum well Quantum dot Carrier dynamics Vertical cavity surface emitting laser |
| 英文摘要 | GaN基宽禁带半导体材料是直接带隙半导体材料，复合效率高，且具有优异的物理、化学特性，其合金材料的禁带宽度可以从0.7eV到6.2eV连续可调，对应的光波长覆盖了红外-可见-紫外光范围，已被广泛应用于制作高效率半导体光电器件，特别是蓝绿光波段的发光器件。尽管GaN基发光器件，如发光二极管(LED)、激光二极管(LD)等，已经实现商业化并持续快速发展，但对于器件的核心组成部分——有源区的光学性质以及载流子动力学的研究还相对滞后。为了进一步优化有源区结构，提高器件发光效率，必须要详细透彻地分析载流子在有源区内的输运及复合过程。本论文围绕InGaN量子阱和InGaN量子点等低维材料的结构设计、光学性...; GaN-based wide-band gap semiconductors are direct-gap semiconductors, which have high radiative efficiency. Due to their oustanding physical and chemical properties, and the tunable band gaps which cover the whole visible spectral region (from 0.7 eV to 6.2 eV), GaN and its ternary alloys have been widely used to obtain high performance photoelectric devices, especially for the blue and green ligh...; 学位：工学博士; 院系专业：物理与机电工程学院_微电子学与固体电子学; 学号：19820120153904 |
| 语种 | zh_CN |
| 出处 | http://210.34.4.13:8080/lunwen/detail.asp?serial=50474 |
| 内容类型 | 学位论文 |
| 源URL | [http://dspace.xmu.edu.cn/handle/2288/134338]  |
| 专题 | 物理技术－学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 翁国恩. InGaN低维材料载流子动力学研究及及GaN基绿光垂直腔面发射激光器制作, Carrier Dynamics in Low-dimensional InGaN Materials and Fabrication of GaN-based Green-emitting VCSELs[D]. 2016, 2015. |
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