| 题名 | 金属诱导晶化制备高质量的多晶Ge薄膜; Poly-Ge film with high quality fabricated by metal induced crystallization |
| 作者 | 王鹏 |
| 答辩日期 | 2016-03-22 ; 2015-05-18 |
| 导师 | 陈松岩 |
| 关键词 | a-Ge，有序度，金属诱导晶化，(111)取向，多晶Ge薄膜，层交换，接触调制 a-Ge, order degree, Al induced crystallization, (111) orientation, poly-germanium film, layer exchange process, modulation to contact |
| 英文摘要 | Ge材料在光电子以及微电子领域有重要的应用。a-Ge晶化的方法可以将廉价的a-Ge转化为高质量的多晶Ge甚至单晶Ge，因而受到人们重视。然而传统a-Ge晶化的制备方法面临一些挑战，如晶化温度过高，形成的晶向不能高度单一化，形成的晶粒尺寸大小不能满足应用需求等，而金属诱导晶化的方法可以在低温下制得高质量的Ge薄膜，是人们近几十年中研究的一个热点。 本文采用金属诱导晶化的方法在石英衬底上制备出了高质量的多晶Ge薄膜，并围绕两个方面展开研究：一是a-Ge的有序度对a-Ge金属诱导晶化的影响，二是从便于进行大规模生产的角度简化了工艺条件，优化了金属诱导晶化制备高质量的多晶Ge薄膜的工艺参数。本论文主...; Germanium material is useful in microelectronics and photonics. Crystallization method transfer cheap a-Ge into poly-germanium and even single crystal germanium, therefore it is valued. Traditional crystallization method of a-Ge faced many chanllenges, including excessive crystallization temperature, random crystal orientation, and small crystal grain sizes, by contrast, as a research hotspot, met...; 学位：工学硕士; 院系专业：物理与机电工程学院_微电子学与固体电子学; 学号：19820121152786 |
| 语种 | zh_CN |
| 出处 | http://210.34.4.13:8080/lunwen/detail.asp?serial=51101 |
| 内容类型 | 学位论文 |
| 源URL | [http://dspace.xmu.edu.cn/handle/2288/134329]  |
| 专题 | 物理技术－学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王鹏. 金属诱导晶化制备高质量的多晶Ge薄膜, Poly-Ge film with high quality fabricated by metal induced crystallization[D]. 2016, 2015. |
| 个性服务 |
| 查看访问统计 |
| 相关权益政策 |
| 暂无数据 |
| 收藏/分享 |
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论