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题名	极性ZnO的生长机制和{10-1-4}小面掺N研究; Investigation on growth mechanisms of polar ZnO and N doping on {10-1-4} facets
作者	王浩
答辩日期	2016-12-20 ; 2016-05-21
导师	陈松岩
关键词	极性ZnO N掺杂ZnO 生长动力学 {10-1-4}邻位面 台阶流动生长 分子束外延和扫描隧道显微镜联合系统 Polar ZnO N-doped ZnO Growth kinetics {10-1-4} facets Step flow growth Molecular beam epitaxy and scanning tunneling microscopy united system
英文摘要	第三代半导体材料ZnO禁带宽度为3.37eV，激子束缚能高达60meV，是制备激子发光器件的理想候选。但由于ZnO材料难于实现稳定p型，其进一步的发展受到制约。p型掺杂的难点不仅包括受主原子有效掺杂效率很低、自补偿严重，而且也包括ZnO的本征n型缺陷密度居高不下。虽然近年来通过不同掺杂策略得到p型薄膜的报道屡见不鲜，但在器件道路上更进一步的却寥寥无几。在艰难面前，人们不仅要优化制备工艺，也应关注ZnO材料本身存留的物理问题。 分子束外延（MBE）设备的特性使生长主要依赖于外来原子与表面原子之间的相互作用，因而常远离热力学平衡状态。其生长特点可使那些在热力学平衡下不易掺入的杂质通过非平衡的方...; Zinc oxide (ZnO) is an important wide band gap semiconductor with large exciton binding energy as high as 60meV, making itself a promising material for electronic and photonic applications such as blue/UV LEDs, lasers and spintronics. However, the lack of reproducible and stable p-type ZnO hinders its further development. The mechanisms leading to p-type doping difficulty are not only due to the l...; 学位：工学博士; 院系专业：物理科学与技术学院_微电子学与固体电子学; 学号：19820130154253
语种	zh_CN
出处	http://210.34.4.13:8080/lunwen/detail.asp?serial=56184
内容类型	学位论文
源URL	[http://dspace.xmu.edu.cn/handle/2288/134321]
专题	物理技术－学位论文
推荐引用方式 GB/T 7714	王浩. 极性ZnO的生长机制和{10-1-4}小面掺N研究, Investigation on growth mechanisms of polar ZnO and N doping on {10-1-4} facets[D]. 2016, 2016.

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