| 题名 | ZnO/MgO(111)的生长和镁氮掺杂; Epitaxy growth of ZnO/MgO and the study of doping with Nitrogen and Magnesium |
| 作者 | 李东华 |
| 答辩日期 | 2016-12-20 ; 2016-05-18 |
| 导师 | 王惠琼 |
| 关键词 | 氧化锌 氮掺杂 分子束外延 ZnO N doped ZnO MBE |
| 英文摘要 | 氧化锌（ZnO）具有宽禁带、高激子束缚能、无毒、价格低廉、较强的抗辐射能力等优点，被广泛用于太阳能电池、液晶显示器、传感器等。另一方面，氧化锌由于其本征施主型点缺陷等呈现的是N型导电类型，很容易进行施主的掺杂，相对的，其P型的掺杂就显得相当困难，这也是制约氧化锌在应用上普及的瓶颈。同时，氧化锌单晶薄膜的质量由于异质外延的问题，存在晶格失配，热膨胀系数不同的问题，难以大幅度提升。实验中，我们利用分子束外延技术（MBE）方法在氧化镁（111）面上进行镁氮共掺氧化锌单晶生长。通过对样品进行一系列表征来研究镁的参与对掺氮氧化锌晶体生长的影响。与此同时，我们也对氧化镁（111）面上进行界面预处理的工艺研...; Zinc oxide (ZnO) has the advantages of wide band gap, high exciton binding energy, non-toxic, low price, strong anti-radiation ability. It is widely used in solar cells, liquid crystal display, sensors, etc. Due to its intrinsic donor type point defects present, natural zinc oxide is N type conductivity type, meanwhile, ZnO is easy to donor doping, relative, the P type doping is very difficult, wh...; 学位：理学硕士; 院系专业：物理科学与技术学院_凝聚态物理; 学号：19820131152962 |
| 语种 | zh_CN |
| 出处 | http://210.34.4.13:8080/lunwen/detail.asp?serial=56730 |
| 内容类型 | 学位论文 |
| 源URL | [http://dspace.xmu.edu.cn/handle/2288/134249]  |
| 专题 | 物理技术－学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李东华. ZnO/MgO(111)的生长和镁氮掺杂, Epitaxy growth of ZnO/MgO and the study of doping with Nitrogen and Magnesium[D]. 2016, 2016. |
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