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题名	分离吸收层与倍增层结构的低压4H-SiC雪崩光电探测器及其p型欧姆接触的研究; Research and Fabrication of UV SAM 4H-SiC APDs with Low Breakdown Voltage and Its p-type Ohmic Contacts
作者	朱会丽
答辩日期	2007 ; 2007
导师	吴正云
关键词	4H-SiC 雪崩光电探测器 p型欧姆接触 4H-SiC Avalanche photodetector p-type Ohmic contact
英文摘要	紫外微弱光信号和单光子信号的探测主要应用于激光诱导荧光性生物报警系统、非线性光线隐蔽通讯、非破坏性物质分析、高能物理、光时域反射和空气污染超高灵敏度探测等领域，它要求探测器具有高量子效率、低暗电流、低的过剩噪声和可见盲等特性，4H-SiC雪崩光电探测器（APD）是惟一能够满足这些要求的器件。 近年来，国际上已有研究小组对4H-SiCAPDs进行制备和研究，但所设计的APD结构较为简单，一般由PN结或者PIN结构成，不能有效地解决吸收层厚度对高量子效率、快响应速率和低击穿电压之间相互限制的矛盾；而已报道的分离吸收层与倍增层（SAM）结构4H-SiCAPDs的击穿电压过大；另外，对于金属与p型4...; Low-level and single photon ultraviolet (UV) signal detections are mainly used in laser-induced fluorescence biological-agent detection, non-line-of-sight covert communica- tions, non-destructive material analysis, high energy physics, optical time domain reflectometer, ultra-high sensitivity for air contamination detection, and so on. 4H-SiC APD is the only promising UV detector that satisfies lo...; 学位：理学博士; 院系专业：物理与机电工程学院物理学系_凝聚态物理; 学号：B200424013
语种	zh_CN
出处	http://210.34.4.13:8080/lunwen/detail.asp?serial=17073
内容类型	学位论文
源URL	[http://dspace.xmu.edu.cn/handle/2288/54836]
专题	物理技术－学位论文
推荐引用方式 GB/T 7714	朱会丽. 分离吸收层与倍增层结构的低压4H-SiC雪崩光电探测器及其p型欧姆接触的研究, Research and Fabrication of UV SAM 4H-SiC APDs with Low Breakdown Voltage and Its p-type Ohmic Contacts[D]. 2007, 2007.

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