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题名	GaN基谐振腔结构发光器件研究; Investigation of GaN-based Resonant Cavity Light Emitting Devices
作者	蔡丽娥
答辩日期	2011 ; 2011
导师	张保平
关键词	GaN 谐振腔发光二极管 面发射激光器 自分裂薄膜转移 GaN resonant cavity light emitting diode vertical cavity surface emitting laser self-separation technology film transfer
英文摘要	GaN基宽禁带半导体材料具有优异的物理和化学特性，其合金材料的禁带宽度在0.7-6.2eV之间连续可调，对应的光波长覆盖红外-可见-紫外光范围且任一组分的合金均为直接带隙，已被广泛应用于制作高效率半导体发光器件。尤其是蓝绿光波段的发光器件，是国际研究的热点，其结构和性能不断得到优化和提高。设计和制作新型结构的发光器件是提高器件性能的一种有效途径。本论文围绕GaN基谐振腔发光器件的研制，在结构设计、材料生长、器件制作、性能测试等多方面进行了细致深入的研究工作，主要内容和成果如下： 1）通过计算和分析谐振腔结构中DBR反射特性和光渗透深度，光场的驻波分布及器件的工作特性包括谐振模式、品质因子、自...; GaN-based wide-band gap semiconductors are being widely studied due to their outstanding physical and chemical properties. GaN and its ternary alloys have tunable energy band gaps, which cover the whole visible spectral region. Furthermore, nitride semiconductors are all direct band gap semiconductors, which have great potential for light emission devices especially for the blue and green lights. ...; 学位：工学博士; 院系专业：物理与机电工程学院物理学系_微电子学与固体电子学; 学号：19820080150514
语种	zh_CN
出处	http://210.34.4.13:8080/lunwen/detail.asp?serial=32269
内容类型	学位论文
源URL	[http://dspace.xmu.edu.cn/handle/2288/55029]
专题	物理技术－学位论文
推荐引用方式 GB/T 7714	蔡丽娥. GaN基谐振腔结构发光器件研究, Investigation of GaN-based Resonant Cavity Light Emitting Devices[D]. 2011, 2011.

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