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题名	在MgO(110)衬底上制备ZnO薄膜及其性能研究; Preparation and Properties of ZnO on MgO
作者	耿伟
答辩日期	2013 ; 2013
导师	王惠琼
关键词	MBE ZnO MgO衬底 MBE ZnO MgO substrate
英文摘要	氧化锌(ZnO)是典型的宽禁带半导体，在光电等领域具有很大的应用前景。由于ZnO在常温下呈六方的纤锌矿结构，目前用于生长高质量ZnO薄膜的衬底大部分同样具有六方结构且取向为极性的[0001]晶向。本课题选择具有立方结构的MgO的（110）表面为衬底用于生长ZnO薄膜，旨在:(1)研究六方ZnO薄膜和立方衬底的界面耦合行为，为以半导体材料为基础的有源器件和以立方钙钛矿功能氧化物材料为基础的无源器件的集成提供指南；（2）研究在具有长方形二维晶格的MgO（110）表面上生长同为具有长方形二维晶格的ZnO非极性面的可能性。实验中，我们利用分子束外延(MBE)方法在MgO（110）衬底上生长ZnO薄膜。...; Znic Oxide (ZnO) is a typical wide bandgap semiconductor and is of significant potential in optoelectronic applications. As ZnO crystallizes in hexagonal wurtzite structure, most high quality ZnO were grown on hexagonal substrates with polar [0001] orientation. This thesis studies the growth of ZnO films on MgO (110) substrates, motivated by two aspects: (1) the study of the interface behavior bet...; 学位：工程硕士; 院系专业：物理与机电工程学院_电子与通信工程; 学号：19820101152797
语种	zh_CN
出处	http://210.34.4.13:8080/lunwen/detail.asp?serial=41181
内容类型	学位论文
源URL	[http://dspace.xmu.edu.cn/handle/2288/79076]
专题	物理技术－学位论文
推荐引用方式 GB/T 7714	耿伟. 在MgO(110)衬底上制备ZnO薄膜及其性能研究, Preparation and Properties of ZnO on MgO[D]. 2013, 2013.

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