| 题名 | 绝缘体上锗（GOI）纳米带的制备及其应变机理研究; Fabrication and strain enhancement in Germanium nano-belts on Insulator |
| 作者 | 卢卫芳 |
| 答辩日期 | 2014 ; 2014 |
| 导师 | 李成 |
| 关键词 | 张应变 GOI纳米带 有限元 全息光刻 氧化退火 压应变 tensile strain, GOI nano-belts, Finite, holography lithography, oxidation and annealing, compressively strain |
| 英文摘要 | 绝缘体上锗（GOI）材料具有高迁移率、在光通信波段大的吸收系数、与成熟的硅工艺兼容等特点，被认为是未来Si基集成高效光源及下一代微电子器件的重要材料之一。然而Ge的间接带特性是发光器件面临的最大挑战，因此无论是应用于Si基发光还是提高器件沟道内载流子的迁移率，都需要制备较大应变的Ge材料，本论文设计了两种制备GOI纳米带的方法来提高Ge的应变，主要工作和创新点如下： 1．利用有限元软件模拟了在GOI纳米带两侧分别沉积Si3N4、SiO2介质薄膜和无介质覆盖三种情况下的应变分布，分析了纳米带尺寸及介质薄膜材料对提高Ge纳米带张应变的影响。发现在GOI纳米带侧壁沉积Si3N4时Ge的应变较大，并...; Germanium on insulator (GOI) with high carrier mobility, large absorption coefficient in optical communication band and compatible with mature silicon microelectronic technology, is considered to be one of the promising materials for Si-based integration of efficient light source and the next generation of microelectronic devices. However, it is still a big challenge to reslize Si based Ge light-e...; 学位：工程硕士; 院系专业：物理与机电工程学院物理学系_电子与通信工程; 学号：19820111152846 |
| 语种 | zh_CN |
| 出处 | http://210.34.4.13:8080/lunwen/detail.asp?serial=44235 |
| 内容类型 | 学位论文 |
| 源URL | [http://dspace.xmu.edu.cn/handle/2288/84032]  |
| 专题 | 物理技术－学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 卢卫芳. 绝缘体上锗（GOI）纳米带的制备及其应变机理研究, Fabrication and strain enhancement in Germanium nano-belts on Insulator[D]. 2014, 2014. |
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