| 题名 | 铝诱导晶化法制备高质量多晶Si、SiGe材料的研究; Study of high quality polycrystalline Si、SiGe fabricated by aluminum induced crystallization |
| 作者 | 孙钦钦 |
| 答辩日期 | 2014 ; 2014 |
| 导师 | 陈松岩 |
| 关键词 | 铝诱导晶化 多晶硅 多晶硅锗 AIC Poly-Si Poly-SiGe |
| 英文摘要 | 多晶硅薄膜不仅具有单晶材料的光照稳定性，而且具有非晶薄膜低制造成本的优点，被认为是一种高性价比的光伏材料，在太阳能电池领域有着广泛的应用前景。多晶材料的制备方法很多，其中金属诱导晶化法制备过程温度低，可用玻璃、有机材料等做衬底，能很大程度的降低成本，因而受到很多的关注。金属诱导晶化时，金属会无可避免的掺入形成的多晶薄膜中成为杂质，目前所用的诱导金属中铝在硅的能带中引入的能级最浅，最接近价带，可做P型掺杂杂质，因此当铝作为诱导晶化的金属时，更有利于制备出电学性能较好的多晶材料。本文用铝诱导晶化(Aluminuminducedcrystallization:AIC)法制备多晶硅和多晶硅锗材料，研究...; Polycrystalline silicon(Poly-Si) thin film is considered as one of photovoltaic materials with highly efficience and low energy consuming since it has a relatively high photosensitivity and low cost. There are many approaches to fabricate poly-Si films, among which metal induced crystallization is a relatively advisable method. There are many advantages for it, such as lower the processing tempera...; 学位：理学硕士; 院系专业：物理与机电工程学院物理学系_凝聚态物理; 学号：19820111152855 |
| 语种 | zh_CN |
| 出处 | http://210.34.4.13:8080/lunwen/detail.asp?serial=44868 |
| 内容类型 | 学位论文 |
| 源URL | [http://dspace.xmu.edu.cn/handle/2288/84056]  |
| 专题 | 物理技术－学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 孙钦钦. 铝诱导晶化法制备高质量多晶Si、SiGe材料的研究, Study of high quality polycrystalline Si、SiGe fabricated by aluminum induced crystallization[D]. 2014, 2014. |
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