题名全耗尽SOI器件及电路辐射加固技术研究
作者李振涛
学位类别硕士
答辩日期2011
授予单位中国科学院研究生院
授予地点北京
导师于芳
学位专业微电子学与固体电子 学
学科主题微电子学
公开日期2011-06-02
内容类型学位论文
源URL[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/20732]  
专题半导体研究所_半导体集成技术工程研究中心
推荐引用方式
GB/T 7714
李振涛. 全耗尽SOI器件及电路辐射加固技术研究[D]. 北京. 中国科学院研究生院. 2011.
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