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题名	硼掺杂直拉硅单晶p/p+外延片中铜沉淀的研究; Investigation of copper precipitation in heavily boron- doped Czochralski silicon p/p+ epitaxial wafers
作者	吉川
答辩日期	2014 ; 2014
导师	徐进
关键词	p/p+外延片 铜沉淀 点缺陷 p/p+ Si epitaxial wafer copper precipitation point defects
英文摘要	半导体材料作为集成电路的基础，地位十分重要。重掺杂硅单晶的应用范围广，性质优良。但是重掺硼硅片不能通过传统的热处理得到洁净区（DZ），但是外延片的结构就可以弥补这一缺点，获得洁净区。闩锁效应和软失效是微电子工业中常见的问题，利用外延结构就可方便快捷地解决这一难题。铜具有非常优良的导电性，在集成电路中，如果使用铜就会大大提高其运算速度，并且提高散热效率，但是也会给硅片带来铜污染的危险，然而对铜沉淀在外延片中的形成机理的研究有待进一步深入。所以对重掺硼单晶硅p/p+外延片来说，很有必要探究铜在其中的沉淀行为，此类研究的学术价值以及工业价值均较高。本文借助腐蚀法和光学显微镜等测试设备，得出如下一些结...; With the improvement of the microelectronic industry, the requirement for Si materials applied in Ultra Large Scale Integrated Circuit（ULSI） is improving seriously. The heavily boron-doped Czochralski silicon （HB CZ Si） wafers are generally applied to fabricate devices. Denude zone （DZ） was hardly formed in HB CZ Si wafers by means of RTP. Thus, p/p+ Si epitaxial wafer is an alternative structure ...; 学位：工学硕士; 院系专业：材料学院_材料物理与化学; 学号：20720111150062
语种	zh_CN
出处	http://210.34.4.13:8080/lunwen/detail.asp?serial=44549
内容类型	学位论文
源URL	[http://dspace.xmu.edu.cn/handle/2288/80612]
专题	材料学院－学位论文
推荐引用方式 GB/T 7714	吉川. 硼掺杂直拉硅单晶p/p+外延片中铜沉淀的研究, Investigation of copper precipitation in heavily boron- doped Czochralski silicon p/p+ epitaxial wafers[D]. 2014, 2014.

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