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	GaPN混晶的瞬态发光特性; Transient Photoluminescence of GaP_(1-x)N_x Alloys
	高玉琳 ; 吕毅军 ; 郑健生 ; ZHANGYong ; MASCARENHAS A ; XIN H-P ; TU C W
	2005
关键词	GaPN混晶 时间分辨谱 能量传输 GaPN alloy time-resolved spectra energy transfer
英文摘要	通过对GaP1-xNx混晶的瞬态发光特性的研究,揭示了在低组分下N杂质从NNi对束缚激子的特性逐渐向高组分下形成GaP1-xNx混晶的杂质带的演变。在较低组分下,样品的发光由NNi对束缚激子及其声子伴线构成,从NN1 到NN4 的衰减时间分别在 90~30ns变化。当组分提高到x~1. 3%以上时,样品的发光呈现出一个宽带,并按单指数规律衰减,辐射复合寿命大约在数十个纳秒量级,且随着N组分的增加,寿命相对减小;但在最高组分(x~3. 1% )时,其寿命仍与NN4 束缚激子的寿命相当 ( ~30ns),说明GaP1-xNx混晶新形成的杂质带仍然保持束缚激子较长的辐射复合寿命。且该杂质带低能端载流子的寿命比高能端载流子的寿命长,导致了其时间分辨谱向低能端的移动。同时在低组分样品的时间分辨谱的测量中,直接观察到了从较浅NN对束缚激子向较深NN对束缚激子的能量传输现象。; 国家自然科学基金(60276002); 厦门大学预研基金(Y07005)资助项目
语种	中文
出版者	发光学报编辑部
内容类型	期刊论文
源URL	[http://dspace.xmu.edu.cn/handle/2288/7718]
专题	物理技术－已发表论文
推荐引用方式 GB/T 7714	高玉琳,吕毅军,郑健生,等. GaPN混晶的瞬态发光特性, Transient Photoluminescence of GaP_(1-x)N_x Alloys[J],2005.
APA	高玉琳.,吕毅军.,郑健生.,ZHANGYong.,MASCARENHAS A.,...&TU C W.(2005).GaPN混晶的瞬态发光特性..
MLA	高玉琳,et al."GaPN混晶的瞬态发光特性".(2005).

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