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	Cu在Pt(111)面上电结晶的成膜过程研究; STUDY ON THE PROCESS of COPPER ELECTRODEPOSITION ON PLATINUM (111)
	印仁和 ; 曹为民 ; 施文广 ; 孙洁林 ; 毛秉伟 ; 孙世刚
	1998
关键词	欠电位沉积 电化学扫描隧道显微镜 反射电子显微镜 Stranski—Krastanov生长机理 underpotential deposition ECSTM REM Stranski-Krastanov growth mechanism
英文摘要	采用0.001MOl/lCuSO4＋0.5MOl/lH2SO4溶液体系，在PT单晶球电极作循环伏安曲线，得到Cu存在欠电位沉积和本体沉积两个阶段，利用电化学扫描隧道显微镜观察到在欠电位下Cu在PT（111）面上为单层平面生长，本体沉积为三维岛状生长，并随过电位升高，Cu的成核数目增加.用反射电子显微镜法也观察到高过电位时在PT（111）面上的岛状铜.证实了Cu在PT（111）面上的STrAnSkI—krASTAnOV生长机理; C-V curves of copper electrodeposition on Pt(111) showed that there were two stages of underpotential and bulk deposition For copper electrodeposition process.Single layer growth at underpotential deposition and three dimensional nucleation growth at bulk deposition had been in situ observed by electrochemical scanning tunneling microscopy (ECSTM) at diFFerent potentials and times.The reFlection electron microscopy (REM) images also revealed three dimensional growth of Cu deposition at high overpotential.All of these results demonstrated Stranski-Krastanov growth mechanism of copper on Pt(111).; 国家自然科学基金!59471060;厦门大学固体表面物理化学国家重点实验室、中国科学院原子核分析研究室资助
语种	zh_CN
内容类型	期刊论文
源URL	[http://dspace.xmu.edu.cn/handle/2288/107418]
专题	化学化工－已发表论文
推荐引用方式 GB/T 7714	印仁和,曹为民,施文广,等. Cu在Pt(111)面上电结晶的成膜过程研究, STUDY ON THE PROCESS of COPPER ELECTRODEPOSITION ON PLATINUM (111)[J],1998.
APA	印仁和,曹为民,施文广,孙洁林,毛秉伟,&孙世刚.(1998).Cu在Pt(111)面上电结晶的成膜过程研究..
MLA	印仁和,et al."Cu在Pt(111)面上电结晶的成膜过程研究".(1998).

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