CVI B-C基体改性2D C/SiC在低温湿氧中的自愈合行为

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	CVI B-C基体改性2D C/SiC在低温湿氧中的自愈合行为
	李思维 ; 张立同 ; 刘永胜 ; 成来飞 ; 冯祖德 ; 栾新刚 ; 张伟华 ; 杨文彬
刊名	http://epub.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=WGCL201011016&dbname=CJFQ2010
	2010-11-15
关键词	C/SiC复合材料基体改性 CVIB-C涂层自愈合 SEM TEM
英文摘要	针对C/SiC低温氧化易失效的不足,研究了CVI B-C基体改性2D C/SiC在700℃湿氧中100MPa下加载至60h的氧化行为,利用SEM和TEM观察了改性材料不同服役时间的微结构特征,揭示了演变规律.研究表明,CVI B-C基体改性使C/SiC低温抗氧化能力显著提升.基体裂纹及其在应力加载下的开裂均为氧化气体提供进入通道,而后可被B-C氧化产物B2O3封填,抑制内部C消耗.CVI B-C与其氧化产物一同参与缺陷愈合.在60h内,B-C改性层愈合能力尚未完全发挥,可服役更长时间.
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://dspace.xmu.edu.cn/handle/2288/15935]
专题	材料学院－已发表论文
推荐引用方式 GB/T 7714	李思维,张立同,刘永胜,等. CVI B-C基体改性2D C/SiC在低温湿氧中的自愈合行为[J]. http://epub.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=WGCL201011016&dbname=CJFQ2010,2010.
APA	李思维.,张立同.,刘永胜.,成来飞.,冯祖德.,...&杨文彬.(2010).CVI B-C基体改性2D C/SiC在低温湿氧中的自愈合行为.http://epub.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=WGCL201011016&dbname=CJFQ2010.
MLA	李思维,et al."CVI B-C基体改性2D C/SiC在低温湿氧中的自愈合行为".http://epub.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=WGCL201011016&dbname=CJFQ2010 (2010).