保持光子禁带不分裂的膜层允许缺陷 | |
许桂雯 ; 欧阳征标 | |
2012-04-27 ; 2012-04-27 | |
会议名称 | 中国广东深圳 2007年中国青年光学学术研讨会 |
关键词 | 光子晶体 光子禁带 缺陷 禁带分裂 光学厚度允许偏离值 |
中文摘要 | 利用光学传输矩阵法研究了10种一维缺陷态光子晶体。研究发现,介质层的光学厚度离理论值的偏移量小于3%时,光子禁带不会发生分裂。缺陷层的位置越靠近光子晶体中央,光子禁带越容易分裂;衬底的引入、机械摩擦导致的外层介质的磨损等都不会导致光子禁带分裂。基本上来说, 当高低折射率介质光学厚度比(R)小于0.66时,高折射率介质层厚度的允许偏移量(允许 d)比较大, 而低折射率介质层厚度的允许 d 值比较小;当 R 大于1.13时,低折射率介质层厚度的允许 d 值比较大,而高折射率介质层厚度的允许 d 值比较小。中心缺陷为低折射率介质、两边对称的结构(结构三) 所允许 d 的绝对值最大。总体上看,当 R>1.5时,允许 d 值比较大,对制作工艺的要求比较低。 |
会议录 | http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=SHFA200712001014&dbname=CPFD2008 |
语种 | 中文 |
内容类型 | 会议论文 |
源URL | [http://ir.calis.edu.cn/hdl/244041/2172] |
专题 | 深圳大学 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 许桂雯,欧阳征标. 保持光子禁带不分裂的膜层允许缺陷[C]. 见:中国广东深圳 2007年中国青年光学学术研讨会. |
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