蓝宝石表面处理对氮化镓薄膜的影响

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	蓝宝石表面处理对氮化镓薄膜的影响
	彭冬生 ; 冯玉春 ; 王文欣 ; 刘晓峰 ; 施炜 ; 牛憨笨
刊名	http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=GZXB200708020&dbname=CJFQ2007
	2012-04-26 ; 2012-04-26
关键词	表面处理 MOCVD 横向外延生长 GaN薄膜
中文摘要	采用化学方法腐蚀c-面蓝宝石衬底,以形成一定的图案;利用LP-MOCVD在经过不同腐蚀时间的蓝宝石衬底上外延生长GaN薄膜.采用高分辨率双晶X射线衍射仪、三维视频光学显微镜、扫描电子显微镜和原子力显微镜进行分析.结果表明,对蓝宝石衬底腐蚀50 min情况下,外延生长的GaN薄膜晶体质量最优,其(0002)面上的XRD半峰全宽为202 .68arcsec ,(10-12)面上的XRD半峰全宽为300 .24arcsec ;其均方根粗糙度(RMS)为0 .184 nm.
语种	中文
其他责任者	中国科学院西安光学精密机械研究所 ; 深圳大学光电子学研究所 ; 深圳大学光电子学研究所西安710119中国科学院研究生院 ; 北京100039深圳大学光电子学研究所 ; 广东深圳518060
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ircloud.calis.edu.cn/hdl/244041/77]
专题	深圳大学
推荐引用方式 GB/T 7714	彭冬生,冯玉春,王文欣,等. 蓝宝石表面处理对氮化镓薄膜的影响[J]. http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=GZXB200708020&dbname=CJFQ2007,2012, 2012.
APA	彭冬生,冯玉春,王文欣,刘晓峰,施炜,&牛憨笨.(2012).蓝宝石表面处理对氮化镓薄膜的影响.http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=GZXB200708020&dbname=CJFQ2007.
MLA	彭冬生,et al."蓝宝石表面处理对氮化镓薄膜的影响".http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=GZXB200708020&dbname=CJFQ2007 (2012).